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LET20030C
- Modello di prodotti:
- LET20030C
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- FET RF 80V 2GHZ M243
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18694 Pieces
- Scheda dati:
- LET20030C.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per LET20030C, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per LET20030C via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 80V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | M243 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 45W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | M243 |
| Altri nomi: | 497-13531 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | LET20030C |
| Guadagno: | 13.9dB |
| Frequenza: | 2GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 400mA 2GHz 13.9dB 45W M243 |
| Descrizione: | FET RF 80V 2GHZ M243 |
| Valutazione attuale: | 9A |
| Corrente - Test: | 400mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per LET20030C
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BF1208,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 | Inchiesta |
 |
BLF10M6LS160U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | Inchiesta |
 |
PTFA092213FLV5R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288-6 | Inchiesta |
 |
ARF440 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD | Inchiesta |
 |
BLF6G13LS-250P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121B | Inchiesta |
 |
MMRF1024HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI-1230-4 | Inchiesta |
 |
BLF3G21-6,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT538A | Inchiesta |
 |
BLF884P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A | Inchiesta |
 |
LET20045C | STMicroelectronics | RF MOSFET N CH 80V 12A M243 | Inchiesta |
 |
BLC8G27LS-140AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 | Inchiesta |
 |
PTFB262406EV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | Inchiesta |
 |
PTFA192001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 | Inchiesta |
 |
475-501N44A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE475 | Inchiesta |
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