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JAN1N6628US
- Modello di prodotti:
- JAN1N6628US
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 17221 Pieces
- Scheda dati:
- JAN1N6628US.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.35V @ 2A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 660V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-5B |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 30ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SQ-MELF, E |
| Altri nomi: | 1086-19987 1086-19987-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | JAN1N6628US |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount D-5B |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 2µA @ 660V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 1.75A |
| Capacità a Vr, F: | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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