JAN1N5802URS
Modello di prodotti:
JAN1N5802URS
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 50V 1A APKG
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
17125 Pieces
Scheda dati:
JAN1N5802URS.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:875mV @ 1A
Tensione - inversa (Vr) (max):50V
Contenitore dispositivo fornitore:D-5A
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/477
Tempo di ripristino inverso (trr):25ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SQ-MELF, A
Altri nomi:1086-19429
1086-19429-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:JAN1N5802URS
Descrizione espansione:Diode Standard 50V 1A Surface Mount D-5A
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 50V 1A APKG
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1µA @ 50V
Corrente - raddrizzata media (Io):1A
Capacità a Vr, F:25pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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