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JAN1N4150-1
- Modello di prodotti:
- JAN1N4150-1
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 14869 Pieces
- Scheda dati:
- JAN1N4150-1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1V @ 200mA |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 50V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DO-35 |
| Velocità: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/231 |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 4ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Altri nomi: | 1086-15171 1086-15171-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | JAN1N4150-1 |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35 |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 100nA @ 50V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 200mA |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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