Acquistare IXZH10N50L2A con BYCHPS
Acquista con garanzia
IXZH10N50L2A
- Modello di prodotti:
- IXZH10N50L2A
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- RF MOSFET N-CHANNEL TO-247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19900 Pieces
- Scheda dati:
- IXZH10N50L2A.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXZH10N50L2A, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXZH10N50L2A via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Prova: | - |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 500V |
| Tipo transistor: | N-Channel |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 (IXFH) |
| Serie: | Z-MOS™ |
| Alimentazione - uscita: | 200W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXZH10N50L2A |
| Guadagno: | - |
| Frequenza: | 2MHz ~ 110MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet N-Channel 2MHz ~ 110MHz 200W TO-247 (IXFH) |
| Descrizione: | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 |
| Valutazione attuale: | 1mA |
| Corrente - Test: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXZH10N50L2A
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BLU6H0410LS-600P,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B | Inchiesta |
 |
BLF6G27LS-40PGJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121E | Inchiesta |
 |
IXZR18N50 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Inchiesta |
 |
IXZH10N50L2B | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | Inchiesta |
 |
BLF8G10LS-160,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B | Inchiesta |
 |
BLC8G20LS-400AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583 | Inchiesta |
 |
PTFA260851E V1 R250 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.68GHZ H-30248-2 | Inchiesta |
 |
UF2820P | M/A-Com Technology Solutions | MOSFET 20W 28V 100-500MHZ | Inchiesta |
 |
BLF645,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A | Inchiesta |
 |
BF 5030 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143 | Inchiesta |
 |
MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | Inchiesta |
 |
ON5250/A,135 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT223 SC-73 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog