IXTZ550N055T2
IXTZ550N055T2
Modello di prodotti:
IXTZ550N055T2
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 550A DE475
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18632 Pieces
Scheda dati:
IXTZ550N055T2.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DE475
Serie:FRFET®, SupreMOS®
Rds On (max) a Id, Vgs:1 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):600W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:DE475
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTZ550N055T2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:40000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:595nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 55V 550A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount DE475
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET N-CH 55V 550A DE475
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:550A (Tc)
Email:[email protected]

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