Acquistare IXTY1R6N50D2 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252, (D-Pak) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.3 Ohm @ 800mA, 0V |
| Dissipazione di potenza (max): | 100W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXTY1R6N50D2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 645pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 23.7nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Depletion Mode |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |