IXTX32P60P
IXTX32P60P
Modello di prodotti:
IXTX32P60P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15412 Pieces
Scheda dati:
IXTX32P60P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PLUS247™-3
Serie:PolarP™
Rds On (max) a Id, Vgs:350 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):890W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTX32P60P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11100pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:196nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 600V 32A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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