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IXTX110N20L2
- Modello di prodotti:
- IXTX110N20L2
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza esenzione da piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12879 Pieces
- Scheda dati:
- IXTX110N20L2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 3mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PLUS247™-3 |
| Serie: | Linear L2™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 24 mOhm @ 55A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 960W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXTX110N20L2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 23000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 500nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 110A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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