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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTP14N60PM
IXTP14N60PM
IXTP14N60PM
Modello di prodotti:
IXTP14N60PM
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17858 Pieces
Scheda dati:
IXTP14N60PM.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220 Isolated Tab
Serie:PolarHV™
Rds On (max) a Id, Vgs:550 mOhm @ 7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):75W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Isolated Tab
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTP14N60PM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 7A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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