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IXTH80N20L
- Modello di prodotti:
- IXTH80N20L
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16802 Pieces
- Scheda dati:
- IXTH80N20L.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 (IXTH) |
| Serie: | Linear™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 32 mOhm @ 40A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 520W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXTH80N20L |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6160pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 80A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 80A TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXTH80N20L
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH80N075L2 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 80A TO247 | Inchiesta |
 |
STGD1100LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.3A SC74 | Inchiesta |
|
IXTH86N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 86A TO-247 | Inchiesta |
 |
RUF015N02TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 | Inchiesta |
|
IXTH88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO-247 | Inchiesta |
 |
SIS472DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 | Inchiesta |
 |
MIC94030BM4 TR | Microchip Technology | MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143 | Inchiesta |
 |
TP2510N8-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3 | Inchiesta |
 |
BUK9C1R3-40EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V D2PAK | Inchiesta |
 |
TK16G60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK | Inchiesta |
|
IXTH80N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 | Inchiesta |
 |
ATP202-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK | Inchiesta |
 |
NTD4856N-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK | Inchiesta |
|
IXTH8P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 8A TO-247 | Inchiesta |
|
IXTH88N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 88A TO-247AD | Inchiesta |
 |
HUF75345P3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB | Inchiesta |
 |
IXFK36N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264 | Inchiesta |
|
VN2410L-G-P014 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3 | Inchiesta |
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