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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTA80N075L2
IXTA80N075L2
IXTA80N075L2
Modello di prodotti:
IXTA80N075L2
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 75V 80A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza esenzione da piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15024 Pieces
Scheda dati:
IXTA80N075L2.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263AA
Serie:Linear L2™
Rds On (max) a Id, Vgs:24 mOhm @ 40A, 10V
Dissipazione di potenza (max):357W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTA80N075L2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:103nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 75V 80A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):75V
Descrizione:MOSFET N-CH 75V 80A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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