IXKC19N60C5
Modello di prodotti:
IXKC19N60C5
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17814 Pieces
Scheda dati:
IXKC19N60C5.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 1.1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ISOPLUS220™
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:125 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:ISOPLUS220™
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXKC19N60C5
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Super Junction
Descrizione espansione:N-Channel 600V 19A (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

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