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IXGY2N120
- Modello di prodotti:
- IXGY2N120
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- IGBT 1200V 5A 25W TO252AA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12255 Pieces
- Scheda dati:
- IXGY2N120.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 4.5V @ 15V, 5A |
| Condizione di test: | 960V, 2A, 150 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 15ns/300ns |
| di scambio energetico: | 600µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252AA |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 25W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | Q2317638 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| codice articolo del costruttore: | IXGY2N120 |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | PT |
| carica gate: | 9nC |
| Descrizione espansione: | IGBT PT 1200V 5A 25W Surface Mount TO-252AA |
| Descrizione: | IGBT 1200V 5A 25W TO252AA |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 8A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXGY2N120
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
GT60N321(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH | Inchiesta |
 |
ISL9V5036P3_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 390V 46A 250W TO220AA-3 | Inchiesta |
 |
FGH40N60SFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 80A 290W TO247 | Inchiesta |
 |
STGWT30H60DFB | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 260W TO3PL | Inchiesta |
 |
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Inchiesta |
 |
IXXH30N60C3D1 | IXYS | IGBT 600V 60A 270W TO247 | Inchiesta |
 |
IRG4BC20UDSTRRP | Infineon Technologies | IGBT 600V 13A 60W D2PAK | Inchiesta |
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