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IXFV20N80PS
- Modello di prodotti:
- IXFV20N80PS
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19325 Pieces
- Scheda dati:
- IXFV20N80PS.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXFV20N80PS, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXFV20N80PS via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PLUS-220SMD |
| Serie: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 520 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 500W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | PLUS-220SMD |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IXFV20N80PS |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4685pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 20A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PLUS-220SMD |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFV20N80PS
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
2SK2989,T6F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | Inchiesta |
 |
IXFV26N50PS | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD | Inchiesta |
 |
IXFV26N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220 | Inchiesta |
|
IXFV26N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD | Inchiesta |
 |
APT6040BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | Inchiesta |
 |
RCX120N25 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FM | Inchiesta |
 |
IXFV22N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220 | Inchiesta |
 |
IXFV26N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220 | Inchiesta |
|
IXFV20N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220 | Inchiesta |
 |
SI3447CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP | Inchiesta |
 |
SUP85N03-04P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB | Inchiesta |
 |
IXFV22N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220 | Inchiesta |
 |
2SK2315TYTR-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK | Inchiesta |
 |
IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | Inchiesta |
 |
NTLJS4114NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN | Inchiesta |
|
IXFV22N50PS | IXYS | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD | Inchiesta |
 |
IXFV22N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD | Inchiesta |
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