Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFT36N50P
IXFT36N50P
IXFT36N50P
Modello di prodotti:
IXFT36N50P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15766 Pieces
Scheda dati:
IXFT36N50P.pdf
Inchiesta

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per IXFT36N50P, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXFT36N50P via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare IXFT36N50P con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-268
Serie:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (max) a Id, Vgs:170 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):540W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXFT36N50P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:93nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 36A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per IXFT36N50P

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
IXTV280N055T Image IXTV280N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220 Inchiesta
IXFT36N60P Image IXFT36N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 Inchiesta
IXFT30N60P Image IXFT30N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 Inchiesta
IXFT340N075T2 Image IXFT340N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 340A TO268 Inchiesta
IXFT30N50P Image IXFT30N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 Inchiesta
STP15N65M5 Image STP15N65M5 STMicroelectronics MOSFET N CH 650V 11A TO220 Inchiesta
IXFT30N60Q Image IXFT30N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3) Inchiesta
IXFT32N50Q Image IXFT32N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 Inchiesta
FDMS2508SDC Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 25V 34A POWER56 Inchiesta
FDC697P Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 8A 6-SSOP Inchiesta
ZXMP6A17KTC Image ZXMP6A17KTC Diodes Incorporated MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK Inchiesta
IXFT32N50 Image IXFT32N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 Inchiesta
STP400N4F6 Image STP400N4F6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V TO-220 Inchiesta
PSMN013-100ES,127 Image PSMN013-100ES,127 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V I2PAK Inchiesta
IXFT30N50Q Image IXFT30N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 Inchiesta
IXFT320N10T2 Image IXFT320N10T2 IXYS MOSFET N-CH 100V 320A TO-26 Inchiesta
IXFT30N50 Image IXFT30N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 Inchiesta
IXFT30N50Q3 Image IXFT30N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 Inchiesta
IXFT30N85XHV Image IXFT30N85XHV IXYS MOSFET N-CH 850V 30A TO268-3 Inchiesta

Latest Notizie