IXFT18N90P
IXFT18N90P
Modello di prodotti:
IXFT18N90P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14886 Pieces
Scheda dati:
IXFT18N90P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:6.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-268
Serie:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (max) a Id, Vgs:600 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):540W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFT18N90P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5230pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:97nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 900V 18A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268
Tensione drain-source (Vdss):900V
Descrizione:MOSFET N-CH 900V 18A TO268
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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