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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFQ23N60Q
IXFQ23N60Q
IXFQ23N60Q
Modello di prodotti:
IXFQ23N60Q
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19807 Pieces
Scheda dati:
IXFQ23N60Q.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-268
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXFQ23N60Q
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 23A (Tc) Surface Mount TO-268
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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