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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFN420N10T
IXFN420N10T
IXFN420N10T
Modello di prodotti:
IXFN420N10T
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18168 Pieces
Scheda dati:
IXFN420N10T.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227B
Serie:GigaMOS™ HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.3 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1070W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
Altri nomi:623426
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFN420N10T
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:47000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:670nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 420A 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:420A
Email:[email protected]

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