Acquistare IXFH80N20Q con BYCHPS
Acquista con garanzia
IXFH80N20Q
- Modello di prodotti:
- IXFH80N20Q
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17575 Pieces
- Scheda dati:
- IXFH80N20Q.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXFH80N20Q, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXFH80N20Q via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 4mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247AD (IXFH) |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 28 mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 360W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXFH80N20Q |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4600pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 80A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFH80N20Q
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH80N25X3 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 80A TO247 | Inchiesta |
 |
IXFH80N06 | IXYS | MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH80N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 | Inchiesta |
 |
IXFH80N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH80N15Q | IXYS | MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD | Inchiesta |
|
IXFH80N10Q | IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD | Inchiesta |
|
IXFH80N08 | IXYS | MOSFET N-CH 80V 80A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH80N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 80A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH86N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 86A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH80N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 80A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH8N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 8A TO-247 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog