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IXFB44N100Q3
- Modello di prodotti:
- IXFB44N100Q3
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16737 Pieces
- Scheda dati:
- IXFB44N100Q3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 6.5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PLUS264™ |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 220 mOhm @ 22A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1560W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-264-3, TO-264AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 4 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXFB44N100Q3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 13600pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 264nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 44A (Tc) 1560W (Tc) Through Hole PLUS264™ |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 44A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFB44N100Q3
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
STP14NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 | Inchiesta |
 |
BUK7Y7R2-60EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK | Inchiesta |
 |
SI1031X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A | Inchiesta |
 |
IXFB44N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 | Inchiesta |
 |
CSD17381F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 | Inchiesta |
|
IXFB40N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 | Inchiesta |
 |
IRFZ46NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK | Inchiesta |
 |
PMPB11EN,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN | Inchiesta |
 |
IRF7807VPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
AON3402 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 12.6A 8DFN | Inchiesta |
|
IXFB40N110Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 | Inchiesta |
 |
DMN2028UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6 | Inchiesta |
 |
PSMN9R5-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V TO220AB | Inchiesta |
 |
RSR020P05FRATL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3 | Inchiesta |
 |
IXTV18N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 | Inchiesta |
 |
IRLBA3803P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 | Inchiesta |
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