IXFA4N100Q
IXFA4N100Q
Modello di prodotti:
IXFA4N100Q
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16157 Pieces
Scheda dati:
IXFA4N100Q.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 1.5mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (IXFA)
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:3 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:4 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFA4N100Q
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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