IS61QDP2B21M18A-333M3L
IS61QDP2B21M18A-333M3L
Modello di prodotti:
IS61QDP2B21M18A-333M3L
fabbricante:
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Descrizione:
IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165BGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14519 Pieces
Scheda dati:
IS61QDP2B21M18A-333M3L.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione di alimentazione -:1.71 V ~ 1.89 V
Contenitore dispositivo fornitore:165-LFBGA (15x17)
Velocità:333MHz
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:165-LBGA
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:18Mb (1M x 18)
Formato di memoria:SRAM
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IS61QDP2B21M18A-333M3L
Interfaccia:Parallel
Descrizione:IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165BGA
Email:[email protected]

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