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IRLS4030PBF
- Modello di prodotti:
- IRLS4030PBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16148 Pieces
- Scheda dati:
- IRLS4030PBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRLS4030PBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRLS4030PBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.3 mOhm @ 110A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 370W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP001568730 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRLS4030PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 11360pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRLS4030PBF
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | Inchiesta |
 |
MTM862270LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6 | Inchiesta |
 |
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | Inchiesta |
 |
SPN01N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223 | Inchiesta |
|
IRLS4030-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | Inchiesta |
 |
RCJ081N20TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 8A LPT | Inchiesta |
 |
DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R | Inchiesta |
 |
IPD90P04P405AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 | Inchiesta |
 |
IPW60R280E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247 | Inchiesta |
|
IRLL3303TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 | Inchiesta |
 |
SPP80N10L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 | Inchiesta |
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