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IRLR3636PBF
- Modello di prodotti:
- IRLR3636PBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15464 Pieces
- Scheda dati:
- IRLR3636PBF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-Pak |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.8 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 143W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | SP001553190 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRLR3636PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3779pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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