IRLML6302TR
IRLML6302TR
Modello di prodotti:
IRLML6302TR
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
16947 Pieces
Scheda dati:
IRLML6302TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:Micro3™/SOT-23
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):540mW (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:*IRLML6302TR
IRLML6302
IRLML6302-ND
IRLML6302CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRLML6302TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:97pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:3.6nC @ 4.45V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:780mA (Ta)
Email:[email protected]

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