IRL630A
Modello di prodotti:
IRL630A
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14218 Pieces
Scheda dati:
1.IRL630A.pdf2.IRL630A.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:400 mOhm @ 4.5A, 5V
Dissipazione di potenza (max):69W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRL630A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:755pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 9A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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