Acquistare IRFU3418PBF con BYCHPS
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		| Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 250µA | 
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Contenitore dispositivo fornitore: | IPAK (TO-251) | 
| Serie: | HEXFET® | 
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 14 mOhm @ 18A, 10V | 
| Dissipazione di potenza (max): | 3.8W (Ta), 140W (Tc) | 
| imballaggio: | Tube | 
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | 
| Altri nomi: | *IRFU3418PBF | 
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) | 
| Tipo montaggio: | Through Hole | 
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| codice articolo del costruttore: | IRFU3418PBF | 
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3510pF @ 25V | 
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 94nC @ 10V | 
| Tipo FET: | N-Channel | 
| Caratteristica FET: | - | 
| Descrizione espansione: | N-Channel 80V 70A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) | 
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V | 
| Descrizione: | MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK | 
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) | 
| Email: | [email protected] |