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IRFS11N50A
- Modello di prodotti:
- IRFS11N50A
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 18932 Pieces
- Scheda dati:
- IRFS11N50A.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 520 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 170W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | *IRFS11N50A |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFS11N50A |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1423pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 52nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 500V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRFS11N50A
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFS11N50ATRRP | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | Inchiesta |
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IRFS11N50ATRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | Inchiesta |
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IRFS11N50ATRLP | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | Inchiesta |
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IRFS11N50ATRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | Inchiesta |
|
IRFS11N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | Inchiesta |
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