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IRFPE50
- Modello di prodotti:
- IRFPE50
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 12205 Pieces
- Scheda dati:
- IRFPE50.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFPE50, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFPE50 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 4.7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 190W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | *IRFPE50 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFPE50 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3100pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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