IRFIB7N50A
IRFIB7N50A
Modello di prodotti:
IRFIB7N50A
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
12164 Pieces
Scheda dati:
IRFIB7N50A.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:520 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):60W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Altri nomi:*IRFIB7N50A
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFIB7N50A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1423pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:52nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 6.6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.6A (Tc)
Email:[email protected]

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