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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IRFI610G
IRFI610G
IRFI610G
Modello di prodotti:
IRFI610G
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
12938 Pieces
Scheda dati:
IRFI610G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Altri nomi:*IRFI610G
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFI610G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 2.6A (Ta) Through Hole TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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