IRFH8311TRPBF
IRFH8311TRPBF
Modello di prodotti:
IRFH8311TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19593 Pieces
Scheda dati:
IRFH8311TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PQFN (5x6)
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.1 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.6W (Ta), 96W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-TQFN Exposed Pad
Altri nomi:IRFH8311TRPBFTR
SP001564136
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:IRFH8311TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4960pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 32A (Ta), 169A (Tc) 3.6W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Ta), 169A (Tc)
Email:[email protected]

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