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IRFH6200TRPBF
- Modello di prodotti:
- IRFH6200TRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15939 Pieces
- Scheda dati:
- IRFH6200TRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFH6200TRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFH6200TRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.1V @ 150µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PQFN (5x6) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 0.95 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | IRFH6200TRPBFDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRFH6200TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10890pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 230nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 49A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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