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IRFD110
- Modello di prodotti:
- IRFD110
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 16174 Pieces
- Scheda dati:
- IRFD110.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.3W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Altri nomi: | *IRFD110 IRFD111 IRFD112 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFD110 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 180pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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