IRFB4110GPBF
IRFB4110GPBF
Modello di prodotti:
IRFB4110GPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17222 Pieces
Scheda dati:
IRFB4110GPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:4.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):370W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:SP001556050
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFB4110GPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9620pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:210nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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