Acquistare IRF9Z34NL con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-262 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 100 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.8W (Ta), 68W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | *IRF9Z34NL |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF9Z34NL |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 620pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 55V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 55V 19A TO-262 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |