IRF7757TR
Modello di prodotti:
IRF7757TR
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
16187 Pieces
Scheda dati:
IRF7757TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-TSSOP
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:35 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Potenza - Max:1.2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF7757TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1340pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.8A
Email:[email protected]

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