IRF7493PBF
IRF7493PBF
Modello di prodotti:
IRF7493PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16169 Pieces
Scheda dati:
IRF7493PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:15 mOhm @ 5.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:SP001555476
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF7493PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1510pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 9.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9.3A (Tc)
Email:[email protected]

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