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IRF7464PBF
- Modello di prodotti:
- IRF7464PBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16026 Pieces
- Scheda dati:
- IRF7464PBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF7464PBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF7464PBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 730 mOhm @ 720mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF7464PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 280pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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