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IRF7459PBF
- Modello di prodotti:
- IRF7459PBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16503 Pieces
- Scheda dati:
- IRF7459PBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF7459PBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF7459PBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SP001572154 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF7459PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2480pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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