IRF7103Q
IRF7103Q
Modello di prodotti:
IRF7103Q
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
14625 Pieces
Scheda dati:
IRF7103Q.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:130 mOhm @ 3A, 10V
Potenza - Max:2.4W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:*IRF7103Q
SP001516968
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF7103Q
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:255pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):50V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A
Email:[email protected]

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