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IRF6614
- Modello di prodotti:
- IRF6614
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 16175 Pieces
- Scheda dati:
- IRF6614.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF6614, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF6614 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.25V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET™ ST |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric ST |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | IRF6614 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2560pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 29nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 40V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12.7A (Ta), 55A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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