IRF630
IRF630
Modello di prodotti:
IRF630
fabbricante:
ST
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18062 Pieces
Scheda dati:
IRF630.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:MESH OVERLAY™ II
Rds On (max) a Id, Vgs:400 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):75W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:497-2757-5
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF630
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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