IRF6100PBF
Modello di prodotti:
IRF6100PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16850 Pieces
Scheda dati:
IRF6100PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:4-FlipFet™
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:65 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):2.2W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:4-FlipFet™
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):2 (1 Year)
codice articolo del costruttore:IRF6100PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1230pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 5.1A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount 4-FlipFet™
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.1A (Ta)
Email:[email protected]

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