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IRF200B211
- Modello di prodotti:
- IRF200B211
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15219 Pieces
- Scheda dati:
- IRF200B211.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF200B211, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF200B211 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.9V @ 50µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 170 mOhm @ 7.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 80W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | SP001561622 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRF200B211 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 790pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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