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IRC640PBF
- Modello di prodotti:
- IRC640PBF
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16055 Pieces
- Scheda dati:
- IRC640PBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRC640PBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRC640PBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220-5 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-5 |
| Altri nomi: | *IRC640PBF |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRC640PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Current Sensing |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-5 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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