IPU80R1K4CEAKMA1
IPU80R1K4CEAKMA1
Modello di prodotti:
IPU80R1K4CEAKMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V TO251-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17268 Pieces
Scheda dati:
IPU80R1K4CEAKMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.9V @ 240µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-251-3
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):63W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi:SP001593930
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:IPU80R1K4CEAKMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 800V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-251-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione:MOSFET N-CH 800V TO251-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.9A (Tc)
Email:[email protected]

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