Acquistare IPP60R600P7XKSA1 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 80µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220-3 |
| Serie: | CoolMOS™ P7 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 600 mOhm @ 1.7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 30W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | SP001606032 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 2 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPP60R600P7XKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 363pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 9nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 6A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |