IPP60R199CPXKSA1
IPP60R199CPXKSA1
Modello di prodotti:
IPP60R199CPXKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15572 Pieces
Scheda dati:
IPP60R199CPXKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 660µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO-220-3
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:199 mOhm @ 9.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):139W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:IPP60R199CP
IPP60R199CP-ND
IPP60R199CPAKSA1
IPP60R199CPIN
IPP60R199CPIN-ND
IPP60R199CPX
IPP60R199CPXK
SP000084278
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IPP60R199CPXKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1520pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 16A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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